TPS53353DQPR使用VREG欠壓鎖定保護(hù)（UVLO）。當(dāng)VREG電壓低于3.95V時(shí)，設(shè)備關(guān)閉。當(dāng)VREG壓力高于4.2V時(shí)，設(shè)備重新啟動(dòng)。這是一種非閂鎖保護(hù)。TPS53353DQPR監(jiān)測(cè)自身的溫度。如果溫度超過(guò)閾值（通常為145°C），TPS53353DQPR將關(guān)閉。當(dāng)溫度降至閾值以下約10°C時(shí)，設(shè)備將重新打開(kāi)。這是一種非閂鎖保護(hù)。當(dāng)EN引腳電壓上升到啟用閾值電壓（通常為1.2V）以上時(shí)，控制器進(jìn)入其啟動(dòng)序列。內(nèi)部LDO調(diào)節(jié)器立即啟動(dòng)，并在VREG引腳處調(diào)節(jié)至5 V。然后，控制器使用前250μs校準(zhǔn)連接到RF引腳的開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置電阻，并將開(kāi)關(guān)頻率代碼存儲(chǔ)在內(nèi)部寄存器中。在此期間，MODE引腳也會(huì)感應(yīng)到此引腳上的電阻，并確定軟啟動(dòng)時(shí)間。在此階段禁止切換。在第二階段，內(nèi)部DAC開(kāi)始將參考電壓從0V斜坡上升到0.6V。根據(jù)MODE引腳設(shè)置，斜坡上升時(shí)間從0.7ms到5.6ms不等。在啟動(dòng)期間，無(wú)論負(fù)載電流如何，都能保持輸出電壓的平穩(wěn)恒定斜坡上升。向后兼容 DS90UB926Q-Q1 和 DS90UB928Q-Q1 FPD-Link III 解串器。出口TPS53353DQPR性價(jià)比

TPS53353DQPR軟啟動(dòng)開(kāi)始后，MODE引腳成為內(nèi)部比較器的輸入，該比較器確定自動(dòng)跳過(guò)或FCCM模式操作。如果MODE（模式）電壓高于1.3 V，則轉(zhuǎn)換器進(jìn)入FCCM模式。否則，它將在輕負(fù)載條件下處于自動(dòng)跳過(guò)模式。通常，當(dāng)選擇FCCM模式時(shí)，mode引腳通過(guò)RMODE電阻器連接到PGOOD，因此在PGOOD變高之前，轉(zhuǎn)換器保持在自動(dòng)跳過(guò)模式。當(dāng)MODE引腳通過(guò)RMODE拉低時(shí)，TPS53353DQPR在輕負(fù)載條件下自動(dòng)降低開(kāi)關(guān)頻率，以保持高效率。當(dāng)輸出電流從重負(fù)載條件下減少時(shí)，電感器電流也會(huì)減少，并至終達(dá)到其波紋谷接觸零電平的點(diǎn)，這是連續(xù)導(dǎo)通和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的邊界。當(dāng)檢測(cè)到該零電感電流時(shí)，同步MOSFET被關(guān)斷。隨著負(fù)載電流的進(jìn)一步減小，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）。導(dǎo)通時(shí)間幾乎與連續(xù)導(dǎo)通模式下的導(dǎo)通時(shí)間相同，從而使負(fù)載電流較小的輸出電容器放電到參考電壓水平需要更長(zhǎng)的時(shí)間。河南標(biāo)準(zhǔn)TPS53353DQPR進(jìn)貨價(jià)集成電路是把一類電路中所需晶體管、阻容感等元件及布線互連，制作在半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，封裝一整體。

集成電路是一種微型電子器件或部件。就是把很多電路集成在一起，晶圓越大，特征尺寸越小，不僅能集成更多更復(fù)雜的電路，而且可以降低功率，加快響應(yīng)速度。集成電路是采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線連接在一起，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。TPS53353DQPR，也是集成電路的一款。半導(dǎo)體集成電路是將晶體管，二極管等等有源元件和電阻器，電容器等無(wú)源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用輸出級(jí)，重復(fù)切換“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)，與能量存貯部件（電容器和感應(yīng)器）一起產(chǎn)生輸出電壓。它的調(diào)整是通過(guò)根據(jù)輸出電壓的反饋樣本來(lái)調(diào)整切換定時(shí)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在固定頻率的穩(wěn)壓器中，通過(guò)調(diào)節(jié)一個(gè)周期內(nèi)的高低電平的時(shí)間占空比來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制，假設(shè)設(shè)定高電平時(shí)接通，此時(shí)對(duì)能量存儲(chǔ)元件充電，使電容的電壓升高，輸出電壓就是電容的電壓也就增大了，反之同理。 這就是所謂的 PWM 控制。在門(mén)控振蕩器或脈沖模式穩(wěn)壓器中，開(kāi)關(guān)脈沖的寬度和頻率保持恒定，但是，輸出開(kāi)關(guān)的“開(kāi)”或“關(guān)”由反饋控制。它是為易于使用、低外部組件數(shù)量和空間意識(shí)電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。

TPS53353DQPR

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可快速打開(kāi)和關(guān)閉串聯(lián)設(shè)備。開(kāi)關(guān)的占空比設(shè)置多少電荷被轉(zhuǎn)移到負(fù)載。這是由與線性穩(wěn)壓器類似的反饋機(jī)制控制的。由于串聯(lián)元件完全導(dǎo)通或已關(guān)斷，因此幾乎不消耗功率。這就是使開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)具有效率的原因。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器還能夠產(chǎn)生高于輸入或相反極性的輸出電壓，這在線性設(shè)計(jì)中是不可能的。在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中，傳輸晶體管用作“受控開(kāi)關(guān)”，并在截止或飽和狀態(tài)下工作。因此，通過(guò)傳輸設(shè)備傳輸?shù)墓β适请x散脈沖，而不是穩(wěn)定的電流。由于通過(guò)設(shè)備用作低阻抗開(kāi)關(guān)，因此可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。當(dāng)傳輸設(shè)備處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，沒(méi)有電流，也沒(méi)有功耗。同樣，當(dāng)通過(guò)器件處于飽和狀態(tài)時(shí)，其兩端出現(xiàn)的壓降可忽略不計(jì)，因此消耗少量的平均功率，無(wú)論哪種情況，傳輸設(shè)備中浪費(fèi)的功率都很少，幾乎所有功率都傳輸?shù)截?fù)載。因此，開(kāi)關(guān)電源的效率在70-90％的范圍內(nèi)非常高。對(duì)于CMOS型IC，特別要注意防止靜電擊穿IC，也不要用未接地的電烙鐵焊接。四川出口TPS53353DQPR品牌

測(cè)試和測(cè)量電流，電壓，頻率，電阻，電容等各種參數(shù)是非常重要的。出口TPS53353DQPR性價(jià)比

TPS53353DQPR是一款高效、單通道、同步降壓轉(zhuǎn)換器，適用于計(jì)算和類似數(shù)字消費(fèi)者應(yīng)用中的低輸出電壓負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用。該設(shè)備具有專有的D-CAP模式控制，并結(jié)合了自適應(yīng)準(zhǔn)時(shí)架構(gòu)。這種組合非常適合構(gòu)建現(xiàn)代低占空比、超快負(fù)載階躍響應(yīng)DC-DC轉(zhuǎn)換器。輸出電壓范圍從0.6 V到5.5 V。轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍從1.5 V到15 V，VDD偏置電壓從4.5 V到25 V。D-CAP模式使用輸出電容器的等效串聯(lián)電阻（ESR）來(lái)感測(cè)器件電流。這種控制方案的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它不需要外部相位補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。這使得能夠以低的外部組件數(shù)量進(jìn)行簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)?？梢允褂脧腞F引腳連接到地或VREG的電阻器來(lái)選擇八個(gè)預(yù)設(shè)開(kāi)關(guān)頻率值。自適應(yīng)接通時(shí)間控制在寬的輸入和輸出電壓范圍內(nèi)跟蹤預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)允許開(kāi)關(guān)頻率在負(fù)載升壓時(shí)增加。出口TPS53353DQPR性價(jià)比

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